MOS型氣體傳感器原理，在干凈的空氣中，二氧化錫中的施主電子被吸附在傳感材料表面的氧氣吸引，從而阻止電流流動(dòng)。

　　在還原氣體存在下，吸附的氧的表面密度隨著它與還原氣體反應(yīng)而降低。然后電子被釋放到二氧化錫中，使電流可以自由地流過傳感器。電流將給出被測(cè)氣體的等效讀數(shù)。

　　原則：

　　在氧濃度為0%的最極端情況下，當(dāng)金屬氧化物傳感器材料（通常是二氧化錫[SnO2-x]）在400C等高溫下加熱時(shí)，自由電子會(huì)流過傳感器的連接部分（晶界）二氧化錫晶體。

　　在干凈的空氣中（約21%O2），氧氣會(huì)吸附在金屬氧化物表面。由于其高電子親和力，吸附的氧會(huì)吸引金屬氧化物內(nèi)部的自由電子，在晶界形成勢(shì)壘（空氣中的eVs）。

　　這種勢(shì)壘會(huì)阻止電子流動(dòng)，從而在清潔空氣中造成高傳感器電阻。

　　當(dāng)傳感器暴露在可燃?xì)怏w或還原性氣體（如一氧化碳）中時(shí)，這些氣體與吸附的氧氣在二氧化錫表面發(fā)生氧化反應(yīng)。

　　結(jié)果，二氧化錫表面吸附氧的密度降低，勢(shì)壘高度降低。電子容易流過高度降低的勢(shì)壘，傳感器電阻降低。

　　可以通過測(cè)量MOS型氣體傳感器的電阻變化來檢測(cè)空氣中的氣體濃度。氣體與吸附在二氧化錫表面的氧氣的化學(xué)反應(yīng)根據(jù)傳感材料的反應(yīng)性和傳感器的工作溫度而變化。

　　MOS氣體傳感器：