巨磁阻效應是指在外部磁場的作用下，某些材料的電阻會發(fā)生顯著變化。該效應主要發(fā)生在由不同磁性薄膜交替層疊而成的結構中。當外部磁場變化時，薄膜之間的磁化方向也隨之改變，從而導致電阻的變化。這種特性使得GMR傳感器能夠精確檢測微小的磁場變化。

1.傳感器結構

GMR傳感器的基本結構通常包括以下幾部分：

-磁性薄膜層：由不同材料（如鐵、鈷等）交替構成，形成多層結構以增強GMR效應。

-電極：用于連接外部電路，傳輸電流。

-絕緣層：防止電流短路，確保傳感器的穩(wěn)定性。

2.關鍵技術

-材料選擇：高性能的GMR傳感器往往采用特定的材料組合，如鐵鎳合金、鎳鈷合金等，以提高敏感度和穩(wěn)定性。

-微加工技術：通過微電子機械系統(tǒng)（MEMS）技術，制造出更小巧、集成度更高的傳感器，提高了GMR傳感器的應用靈活性。

-信號處理技術：結合先進的信號處理算法，增強傳感器對微弱信號的檢測能力，提升其在復雜環(huán)境中的表現。